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株洲中車時代電氣股份有限公司功率器件研發中心2021年招聘應往屆博士研究生

  • 發布時間:2021-04-09
  • 截止日期:2021年4月30日
  • 所屬省份湖南
  • 工作地點:株洲市
  • 欄目分類湖南企業
  • 招聘人數:若干

株洲中車時代電氣股份有限公司(下稱中車時代電氣)是中國中車旗下股份制企業,其前身及母公司——中車株洲電力機車研究所有限公司創立于1959年。中車時代電氣扎根株洲,走好兩條鋼軌,走出兩條鋼軌,2006年在香港聯合交易所成功上市。2015年榮獲第二屆"中國質量獎",2018年營業收入超過150億元。

中車時代電氣秉承"雙高雙效"高速牽引管理模式,堅持"同心多元化"發展戰略,圍繞技術與市場,形成了"基礎器件+裝置與系統+整機與工程"的完整產業鏈結構,產業涉及高鐵、機車、城軌、軌道工程機械、通信信號、大功率半導體、傳感器、海工裝備、新能源汽車、環保、通用變頻器等多個領域,業務遍及全球20多個國家和地區,與國內外多家知名企業建立了良好的合作關系,具有廣闊的發展空間和前景。

中車時代電氣具備國內唯一自主8英寸IGBT芯片產線,擁有新型功率半導體器件國家重點實驗室,是全球第二大深海機器設計制造商。參與研制中國首臺電力機車、交流傳動機車、交流傳動地鐵、永磁高鐵、中國標準動車組。擁有動車組和機車牽引與控制國家重點實驗室、變流技術國家工程研究中心、五大研發中心(長沙、株洲、無錫、西安、伯明翰)。

一、招聘領域

中車時代電氣"楚才無境"計劃旨在為公司產業發展招募博士研究生200名,培育行業后備領軍人才,打造事業合作伙伴生態圈。研究領域如下:

A軌道交通領域

列車先進變流技術、列車牽引控制技術、列車通信與網絡控制技術、列車儲能技術、高速磁浮牽引供電及其控制技術...

B智能化領域

牽引系統PHM技術、列車自動駕駛技術、圖像識別技術、智能檢修技術、數據分析與挖掘、感知算法...

C軌道工程領域

結構動力學分析、流體力學分析、液壓元件與系統設計、伺服控制技術、軌道工程車體研發...

D半導體領域

芯片設計技術(IGBT/SiC)、新工藝技術(晶閘管/IGBT/SiC/MOSFET)、微電子可靠性及失效機理、先進封裝技術、多物理場耦合設計及仿真技術、汽車芯片級電流傳感器技術...

E檢測試驗領域

無損檢測與失效分析技術、聲學仿真與試驗的一體化

F工業自動化領域

風電系統接入高壓/柔性直流輸電網的穩暫態特性分析、基于雙饋/全功率變流器的風電系統穩定運行與振蕩抑制

G汽車電驅領域

電機系統NVH設計技術、電驅系統EMC設計技術

H深海裝備領域

電動ROV&AUV關鍵電氣及其控制、主動波浪補償技術

二、薪資福利

1、年薪:最高頂薪45W,根據公司薪酬政策評估。

2、購房補貼:公司補貼30W;政府購房補貼和生活補貼根據地方政策享受。

3、多元化激勵:員工持股、限制性股票、股票期權、項目跟投、科技人才崗位分紅、青年科技人才獎等。

4、社會保障:五險一金頂額繳納,享受補充醫療保險金、企業年金。

5、其他福利:院士輔導、團隊配置、國家級課題、協助申報國家//市級高層次人才及博士后工作站、境內外培養、人才公寓、車話餐補貼、寒暑補貼。

三、職位需求

應往屆全日制博士研究生,研究方向屬于如下學科:電氣工程(0808)、電子科學與技術(0809)、信息與通信工程(0810)、控制科學與工程(0811)、計算機科學與技術(0812)、儀器科學與技術(0804)、機械工程(0802)、交通運輸工程(0823)。

具體職位需求表附后。

四、招聘流程

簡歷投遞簡歷初篩線上測評電話面試視頻面試終面錄用體檢入職

公司人事部將于4月上旬啟動第二輪面試,有意參與第二輪面試的應聘者請務必于2021416日前投遞個人應聘資料,第二批次招聘截止日期為2021430日。

五、聯系方式

聯系人:李女士

聯系方式:13503077519

簡歷投遞郵箱:zcsdlt@163.com【郵件主題格式為:應聘職位+專業(學歷)+姓名,例如:結構設計工程師+機械工程(博士)+姓名】

序號

職位名稱

招聘人數

需求部門

工作地點

工作職責

任職資格

1

器件工程師

ASIC方向/MEMS方向/毫米波雷達方向)

3

功率器件研發中心(傳感器)

浙江省

芯片級/微型化/小型化電量傳感器,追趕行業領先技術,實現技術突破與產業轉型:

1、ASIC芯片級電流傳感器開發

2、MEMS傳感芯片/智能化傳感器開發

1、熟練掌握集成電路設計和仿真軟件,有過成功流片經驗者優先

2、熟練掌握MEMS芯片設計和仿真軟件,具備超凈間操作經驗者優先

2

應用工程師(壽命預測)

1

功率器件研發中心(半導體)

湖南省

英國

1、開展電動汽車綜合應力加速壽命試驗技術研究

2、開展電動汽車用IGBT剩余壽命數據采集和任務剖面選擇

3、完成電動汽車用IGBT剩余壽命評估方法研究

1、博士研究生學歷,電氣工程、電力電子與電力傳動相關專業。

2、具備扎實的電力電子相關的基礎知識;

3、熟悉電力電子變流器的相關硬件結構;

4、參與過IGBT應用壽命和可靠性方面研究項目者優先;

3

可靠性工程師(電子封裝與失效機理)

1

功率器件研發中心(半導體)

湖南省

英國

滿足以下之一即可:

1、高速列車芯片核心關鍵技術項目子項封裝互連界面失效機理研究;

2、汽車用IGBT模塊振動壽命研究開放合作項目;

3、雙面散熱汽車IGBT模塊功率循環試驗方法及失效機理研究開放合作項目;

4、芯片可靠性、250℃高溫灌封體系、IPM產品可靠性試驗平臺建設;

5、針對新型封裝材料及結構,建立失效機理數據庫和制樣及表征方法庫;

6、壓接IGBT及雙面散熱模塊等產品可靠性加速試驗方法及壽命評價建模。

1、博士研究生學歷,微電子、材料、結構力學、可靠性工程、電氣工程及應用數學等相關專業。

2、具備扎實的微電子、材料、仿真和電氣相關的基礎知識;

3、熟練掌握C語言、Comsol、Matlab等語言和工具;

4、參與半導體器件開發和可靠性研究項目者優先;

4

模塊設計工程師(電氣設計與多物理場仿真)

2

功率器件研發中心(半導體)

湖南省

英國

高壓軌道交通領域全球第一,電網產品全球第一、工業模塊產品國內第一、汽車模塊產品國內第一,矢志大功率半導體世界前三強。

1、完成電磁設計能力搭建與完善,建立仿真設計和驗證流程

2、形成熱磁等多物理場的設計開發流程,完善相關軟件和驗證能力,形成整套設計流程

3、形成IGBTSiC模塊多物理場設計準則

4、培養一支模塊多物理場設計團隊

1.博士研究生學歷,微電子封裝、半導體物理、電氣工程(電力電子)、機械電子、材料學、熱工程等相關專業;

2.具備扎實的功率半導體模塊封裝與互連技術基礎理論,了解功率模塊關鍵物料的生產工藝過程、材料選型、特性參數及相關測試標準,了解功率模塊封裝工藝、設備、測試等原理及方法;

3.熟悉功率半導體工作原理(IGBT/MOSFET等)和基本控制電路在電力電子中的應用,了解電磁場和高壓絕緣設計。

5

芯片工藝工程師(晶閘管、IGBT、SICMOSFET

2

功率器件研發中心(半導體)

湖南省

英國

1、完成STMOS、RCMOS以及GaN等關鍵工藝技術調研和開發

2、完成相關工藝平臺建設

3、建立合理工藝控制標準

1、博士研究生學歷,微電子、集成電路相關專業。

2、掌握功率器件和半導體器件工藝、功率半導體器件設計相關知識,了解半導體物理、固體物理等

6

SiC芯片設計工程師

1

功率器件研發中心(半導體)

湖南省

英國

1、具備SiC芯片工藝模型設計和仿真能力,能獨立開展工藝仿真和結構仿真;

2、攻克溝槽柵MOSFET離子注入保護工藝技術,實現溝槽柵MOSFET工藝控制技術

1、博士研究生學歷,集成電路設計、半導體物理、半導體器件與物理、半導體制造技術、固體物理數字、微電子制造技術。

2、性格陽光、快速融入團隊;

3、心理健康,抗壓能力及自我調節能力強;

4、自學能力強,積極主動;

5、有良好的溝通與表達能力、準確表達個人想法;

6、注重團隊合作。

7

IGBT芯片產品開發工程師

1

功率器件研發中心(半導體)

湖南省

英國

圍繞IGBT細分領域,按照量產一代、研發一代、預研一代的布局,構建中車IGBT芯片第四代平面柵、第五代溝槽柵、第六代精細溝槽柵、第七代逆導的技術與產品布局,滿足軌交&電網&電動汽車&新能源&高端工業五大核心領域的客戶需求。

1、按軌交&電網&電動汽車&新能源&高端工業,分領域構建芯片產品與客戶需求的匹配標準,為芯片設計提供精準輸入;

2、執行并優化APQP流程,探索并構建產品全生命周期管理體系,為芯片產品開發過程提供高質量管理;

3、強化芯片產品的質量及長期可靠性管理;

1、博士研究生學歷,了解半導體物理、固體物理知識;了解功率半導體器件設計及工藝相關知識;

2、強大的產品定義能力;

3、較強的對客戶需求(用戶體驗)識別能力、策劃能力、解決問題能力;

4、能與客戶進行應用需求——性能表現——器件機理層面的技術交流;

5、合作、抗壓、責任感、溝通協調、時間管理能力強。

8

IGBT芯片設計工程師

1

功率器件研發中心(半導體)

湖南省

英國

圍繞IGBT細分領域,按照量產一代、研發一代、預研一代的布局,構建中車IGBT芯片第四代平面柵、第五代溝槽柵、第六代精細溝槽柵、第七代逆導的技術與產品布局,滿足軌道交通&電網&電動汽車&新能源&高端工業五大核心領域的客戶需求。

1、750V/1200V車軌級逆導IGBT技術&產品開發

2、3300V逆導IGBT技術&產品開發

3、5200V壓接式逆導IGBT技術&產品開發

4、6500V逆導IGBT技術&產品研究

5、消費級逆導IGBT技術研究

1、博士研究生學歷,具有較強的物理及數學理論知識,掌握半導體物理、固體物理知識;掌握功率半導體器件設計及工藝相關知識;

2、熟悉試驗設計方法;

3、熟悉功率半導體發展的前沿和總體趨勢;

4、合作、抗壓、學習、溝通、邏輯能力強。

 

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風險提示:如招聘單位在招聘過程中向求職者提出收取押金、保證金、體檢費、材料費、成本費,或指定醫院體檢等,求職者有權要求招聘單位出具物價部門批準的收費許可證明材料,若無法提供相關證明,請求職者提高警惕,有可能屬于詐騙或違規行為。
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